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第111章 量产!

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  李青松原本以为,在之前7纳米、5纳米、3纳米技术接连被顺利突破的前提之下,2纳米制程的芯片技术也将被子顺利突破。

但他没有想到,在这最为接近极限的时刻,众多复杂艰难到了极点的技术难题全都涌现了出来。

“想想看,这其实也很正常。”

李青松轻轻叹了口气:“要在几平方厘米的范围内,精准的将400亿个以上的晶体管在硅片上雕刻出来,还要让它们保持图纸之中的连接,相互协作发挥功能,这怎么可能简单啊……”

但,再难也要去做。

李青松将现有技术障碍梳理一番,再度开始了攻关任务。

他发现,制约自己掌握2纳米芯片技术的一个重大桎梏,是相比起之前的更为严重的短沟道效应。

漏电流在如此微小的尺寸之上几乎无法控制。这导致了晶体管根本无法正常工作,一旦通电,大量的晶体管瞬间便会烧毁。

李青松调动了数万名克隆体的脑力,一边思考,一边使用超算进行模拟,还一边进行着各种试验。

最终,一种方案被他想了出来。

“或许……我可以将晶体管的构造模式改变一下?通过栅极将沟道包裹住,或许能提升控制力,减少漏电流。”

想到了这一点,李青松立刻开始了尝试。

使用实验室之中的高精度成套光刻设备,李青松尝试着按照环绕栅极场效应的模式,将一枚全新的芯片造了出来,并通电测试。

一番测试之下,看着屏幕之上的电流数据,李青松长长的出了口气。

他知道,漏电流的技术问题被自己攻克了。

但这仅仅只是研发2纳米芯片过程之中所遇到的第一个困难。

在这之后,李青松立刻遇到了第二个技术难题。

如何进一步提升光源功率,实现更短的波长?

很显然,只有光的波长更短,才能雕刻出更小的晶体管。

但现在,李青松所使用的光刻机以及可以被称之为“极紫外光源”光刻机了。

这里面的“极”,便是极度的意思。

但现在,就算是“极度”也不够了,还得想办法进一步提升。

李青松再度调集众多脑力与资源,开始了不计成本的尝试。

数天时间之后,一个新的想法从其中一名克隆体脑海之中产生,并同步到了李青松的脑袋里。

“激光等离子体光源之中的材


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