二维是平面，三维是立体。
原本的晶体管，是通过光刻技术，“刻”在硅片上的。改成三维的话，就类似于将晶体管“搭建”在芯片上。
其技术难度很显然要提升许多倍。
“我之前研发的多重曝光技术，貌似正好可以用在三维晶体管的光刻上，先试一下。”
无需经历复杂的申报流程，无需沟通交流，无需资源搜集，前一秒李青松刚刚获取到了这种可能性，这一秒，李青松便直接做出了决定。
于是众多正在尝试其余解决方案的克隆体立刻放下了手中的工作，全部加入到了对这一种可能性的尝试之中。
进行这种尝试所需要的相关资源更是立刻到位，连一点耽误都没有，整个流程效率快到了极致。
完成了前期设计之后，试验型的多重曝光设备立刻开始在实验室之中对一枚硅片进行蚀刻。然后便是一系列的检测流程。
当最终结果呈现在李青松面前的时候，李青松满是欣喜的瞪大了眼睛。
“竟然真的可以！”
将晶体管从二维改为三维之后，短沟道效应果然消失了！晶体管的性能，和电流的稳定性再度提升！
“就是这个了！”
距离这个想法冒出来才仅仅过去不到半个月时间而已，李青松便在此刻实验数据的基础上，直接做出了足以改变整个产业方向的重大决定。
三维晶体管毫无疑问具备更高的性能，但它也意味着一个问题。
那便是，技术难度相比起之前大幅提升，相应的，要使用这种工艺，制造流程也将极大延长。
从硅片的提纯，到最终的芯片封装，整个流程加起来足足有1700多道工序！
假设这1700道工序，每一道工序的良品率都是99%——这看起来已经相当高了，但实际上，经过1700道工序之后，最终成品的良品率却仅有亿分之3.8而已，完全不具备可用性。
唯有将每一道工序的良品率提升到约99.99%，最终良品率才能提升到约80%的程度，才能算是具备实用性。
但每一道工序99.99%的良品率……何其之难。
但难也没有办法。李青松只能遵循最严格的设计与建造需求，来造这一座全新的芯片工厂。
李青松最终将厂址选在了远离任何基地与铁路线的一处盆地之中，这样便能确保最微小的震动都不会传递到这里；
这座巨大工厂的
本章未完，请点击下一页继续阅读！